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현재 EUV 마스크 공정의 경우 마스크의 소자 크기를 줄이고, 


파장이 짧은 빛으로 반사해서 높은 해상도의 반도체를 그려내는데,


마스크가 더 작아도 제대로 현상되려면 파장이 더 짧아야 가능하기 때문이지.


마스크의 집적률을 높이고 파장을 줄이는게 아니라 빛을 줄이는 방법을 찾았어,


마스크는 2나노를 현상할때에 크기로 두고 반사된 빛의 밀도를 낮추는 렌즈 필터를 통과시키고


축소 배율을 높이는 렌즈로 현상하는거야.


그런데 2나노가 50배에서 50000배까지 작아져 0.01나노~ 0.00001나노 크기로 현상되는거지.


그런데 소자와 소자 사이에 존재하는 잉곳의 입자가 반도체의 성격을 가지게 만들려면 잉곳의 밀도를 더 높여줘야돼.


그래서 잉곳을 만들때 새로운 공정을 추가하는데,


잉곳에 탄소를 혼합해서 가열해 액체로 만든 상태에서, 탄소이온을 넣어 혼합하고,


절연체로 압착한뒤 외부에서 초강력 자석의 전기장으로 끌어 당기는거지.


잉곳 내부에 있는 물질이 전기장에 의해 끌려와서 초고밀도의 잉곳이 만든뒤 식히는거야.


그리고 잉곳을 반으로 자르고 반 쪽은 사용하고 반쪽은 버리는거지.

 

그리고 2나노 EUV에서 만들어진 빛의 밀도를 낮추고 축소 배율을 높여,


0.01나노 반도체를 웨이퍼에 그려냈어. 3CM X 3CM를 그려내는데 100번 걸리는거지.


그리고 3CM X 3CM크기의 반도체 수율을 확인해야돼.


0.01나노의 크기닌깐 1나노에 비해 100배의 집적률을 가진거고, 


100번 그려서 100개의 독립적인 칩셋이 그려지는거야. 


만약에 100개가 모두 작동한다면 100개로 나눠 독립적으로 쓸수있는거지.


그런데 100개중 30개는 작동하고 70개는 작동하지 않으며


작동하는 30개도 칩셋 전체가 작동하는게 아니라 1/3 면적만 파편처럼 작동하는거야.


마치 잉크를 쏘았을때 퍼진 물감의 파편처럼 1/3의 면적 정도의 반도체 소자만 작동하는거야.


온전하게 1개의 칩셋이 작동하는것도 아니고, 1개의 칩셋중 2/3이 전기적인 반응 조차 하지 않는거지.


그래서 웨이퍼의 마스크 소자 설계도 다르게 해야하는데,


칩셋 1개가 온전하게 현상되어야 작동되는게 아니라


일부만 현상되어도 작동될수있게 만드는거야.


보조적인 개념으로 0.01나노 소자~ 0.00001나노 소자를 그린 마스크로 현상하는거지.


그리고 100% 완벽하게 현상되어야만 작동하는 메인 칩셋을 2나노를 만들고,


그 뒤에 0.01나노~ 0.00001나노 반도체 90개를 끼워넣는거야.


90개중 90%가 작동하지 않아도, 단 10%만 작동하더라도, 


에너지 효율이랑 반도체의 성능은 말도 안되게 높아지는데,


0.01나노 ~ 0.00001나노 반도체를 작동하기 위한 2나노 메인 칩셋이 반드시 필요하다는거지.


이롯서 2나노가 메인 + 0.1나노 ~ 0.0001나노가 보조인 새로운 형태의 반도체가 탄생하는거야.


나중에는 2나노 한개를 설치하고, 보조로 0.01나노 반도체와 0.00001나노 반도체칩셋을 여러개 장착해서


성능을 높일수도있어.